| 型號: | NE71300-M |
| 廠商: | NEC Corp. |
| 英文描述: | L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述: | L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù): | 9/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商: | NE71300-M |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| NE71300-N | L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE72218 | C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE72218-T1 | C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE72218-T2 | RES-MF 150 OHM 1/4W 1% |
| NE722S01 | NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NE71300N | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
| NE71300-N | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE71383B | 功能描述:MOSFET KU-K BAND MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NE720 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability. |
| NE720_05 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability. |