參數(shù)資料
型號： NE71300-M
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場效應晶體管
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： NE71300-M
3
NE713
CHIP DIMENSIONS (Unit:
μ
m) [NE71300]
64
123
76
450
60
4
5
1
4
52
44
56
57
48
18
Source
Source
Gate
Gate
Drain
Drain
7
6
1
1
Thickness = 140
μ
m
: BONDING AREA
相關PDF資料
PDF描述
NE71300-N L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T1 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T2 RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
NE722S01 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NE71300-N 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
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NE720 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
NE720_05 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
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