參數(shù)資料
型號： NE71300-M
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： NE71300-M
4
NE713
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
T
A
Ambient Temperature
°
C
V
GS
Gate to Source Voltage
V
V
DS
Drain to Source Voltage
V
P
t
I
D
0
50
40
30
20
10
0
2.0
1.0
0
100
200
300
400
40
30
20
10
N
G
I
D
3.0
2.0
1.0
0
1
2
4
6
f
Frequency
GHz
8 10
14
20
30
24
20
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
50
100
150
200
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs.
FREQUENCY
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V
I
D
= 10 mA
V
DS
= 3 V
G
a
NF
0.2 V
0.4 V
0.6 V
N730
NE71383B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE71300-N L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T1 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T2 RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
NE722S01 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE71300N 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300-N 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71383B 功能描述:MOSFET KU-K BAND MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE720 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
NE720_05 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability.
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