參數(shù)資料
型號(hào)： NE698M01
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
中文描述： npn型外延硅晶體管的微波HIFH，增益放大
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： NE698M01
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE698M01
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -10/98
FREQUENCY
f (MHz)
100
250
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
S
11
S
21
S
12
S
22
K MAG
1
(dB)
-5.5 0.27 34.0
-13.4 0.25
-20.6 0.33
-28.6 0.45
-35.2 0.58
-40.6 0.71
-45.5 0.83
-50.1 0.95
-54.6 1.05
-59.3 1.14
-64.1 1.20
-76.6 1.26
-89.6 1.20
-102.0 1.07
-113.2 0.91
-123.0 0.75
-131.5 0.62
MAG
0.803
0.776
0.718
0.629
0.538
0.457
0.388
0.332
0.289
0.255
0.234
0.227
0.258
0.305
0.359
0.408
0.453
ANG
-8.4
-22.1
-34.6
-49.7
-63.2
-75.5
-87.6
-99.4
-111.4
-124.4
-137.5
-168.7
168.0
152.0
140.6
131.3
122.8
MAG
14.546
13.446
12.779
11.594
10.364
9.221
8.246
7.407
6.694
6.100
5.591
4.593
3.869
3.304
2.856
2.491
2.191
ANG
168.7
157.1
145.1
131.0
118.7
108.2
98.8
90.6
83.1
76.2
69.7
54.6
40.9
28.2
16.3
5.4
-4.9
MAG
0.006
0.014
0.020
0.027
0.032
0.036
0.038
0.040
0.042
0.044
0.046
0.053
0.064
0.077
0.094
0.114
0.135
ANG
81.2
75.0
67.6
60.5
55.3
51.7
49.9
49.3
49.7
50.9
52.3
57.1
61.1
63.0
63.0
61.2
58.4
MAG
0.965
0.942
0.898
0.834
0.773
0.721
0.679
0.647
0.623
0.606
0.595
0.585
0.598
0.624
0.658
0.695
0.730
ANG
30.0
28.0
26.3
25.1
24.1
23.3
22.7
20.7
19.2
18.1
16.3
15.1
14.7
14.8
13.4
12.1
V
CE
= 2 V, Ic = 7 mA
Note:
1. Gain Calculations:
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE698M01-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
NE71300 LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300L LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300M LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300N LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
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NE699M01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
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NE7 功能描述:CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8" RoHS:是 類別:線纜，導(dǎo)線 - 管理 >> 線夾和夾具 系列:NE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:TC 類型:C-夾 開口尺寸:0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm） 安裝類型:釘子 材質(zhì):聚丙烯 顏色:黑
NE-7 制造商:Richco 功能描述:
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