參數(shù)資料
型號(hào)： NE698M01
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
中文描述： npn型外延硅晶體管的微波HIFH，增益放大
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： NE698M01
FREQUENCY
f (MHz)
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3500
4000
4500
5000
S
11
S
21
S
12
S
22
K MAG
1
ANG
(dB)
-4.58 0.15 31.2
-8.86 0.15
0.962 -13.10 0.19
0.949 -17.19 0.21
0.932 -21.20 0.24 24.2
0.913 -24.97 0.28
0.893 -28.57 0.33
0.873 -31.93 0.37 22.4
0.853 -35.20 0.41 21.9
0.833 -38.24 0.45
0.796 -44.05 0.54 21.0
0.763 -49.33 0.64 20.5
0.735
-54.29
0.711
-59.16
0.692
-63.82
0.679
-68.35
0.667
-73.12
0.659
-77.85
0.656
-82.78
0.655
-87.66
0.668
-100.67
0.692
-113.87
0.723
-126.63
0.737
-136.90
MAG
0.910
0.903
0.886
0.867
0.844
0.818
0.789
0.758
0.727
0.696
0.632
0.573
0.519
0.465
0.421
0.387
0.355
0.331
0.317
0.309
0.328
0.383
0.451
0.527
ANG
-5.49
-12.15
-18.46
-23.84
-29.82
-35.35
-40.72
-46.19
-51.33
-56.23
-66.19
-75.35
-84.27
-93.54
-102.59
-112.30
-122.55
-133.20
-144.52
-156.20
177.03
156.43
142.11
130.35
MAG
7.711
7.507
7.391
7.277
7.211
7.024
6.842
6.679
6.479
6.281
5.923
5.541
5.162
4.858
4.554
4.244
3.999
3.771
3.554
3.363
2.911
2.518
2.167
1.864
ANG
170.42
165.89
159.88
153.86
148.01
142.43
136.76
131.59
126.49
121.67
112.11
103.48
95.39
87.66
80.30
73.46
66.73
60.20
53.94
47.78
33.02
19.22
6.57
-4.78
MAG
0.006
0.012
0.017
0.022
0.027
0.031
0.035
0.038
0.041
0.044
0.047
0.050
0.051
0.051
0.051
0.051
0.051
0.051
0.052
0.054
0.065
0.082
0.104
0.126
ANG
85.31
79.32
74.51
71.17
67.27
63.60
59.99
56.72
53.71
51.05
46.49
43.02
40.54
39.26
38.93
39.56
41.72
44.53
48.11
52.26
60.65
64.68
64.38
61.60
MAG
0.983
0.975
28.0
26.3
25.1
23.5
22.9
21.6
0.74 20.1
0.85 19.8
0.96 19.5
1.06 17.7
1.16 16.5
1.25 15.7
1.30 15.1
1.31 14.6
1.19 13.9
0.98 14.9
0.77 13.2
0.64 11.7
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2 V, Ic = 3 mA
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2 V, I
C
= 3 mA)
Note:
1. Gain Calculations:
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
S
11
1 GHz
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
10
25
50
100
S
22
5 GHz
S
11
5 GHz
S
22
1 GHz
120
90
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
12
5 GHz
S
21
1 GHz
60
S
12
1 GHz
S
21
5 GHz
NE698M01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE698M01-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
NE71300 LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300L LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300M LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300N LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
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NE699M01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
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NE7 功能描述:CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8" RoHS:是 類別:線纜，導(dǎo)線 - 管理 >> 線夾和夾具 系列:NE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:TC 類型:C-夾 開口尺寸:0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm） 安裝類型:釘子 材質(zhì):聚丙烯 顏色:黑
NE-7 制造商:Richco 功能描述:
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