參數(shù)資料
型號： NE696M01
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： NE696M01
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.5
2
3
4 5
10 20
50
-50
-20
20
10
5
4
3
2
1.5
1
0.8
0.6
0.4
0.2
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
S
11
S
22
270
180
225
315
135
0
90
5.00
10.00
15.00
45
S
21
S
12
0.05
0.10
0.15
NE696M01
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
0.40
0.80
1.00
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
6.00
MAG
0.941
0.874
0.833
0.610
0.536
0.502
0.550
0.617
0.660
ANG
-25.2
-49.7
-61.1
-119.1
-150.6
176.8
123.5
93.4
74.9
MAG
2.924
2.776
2.642
2.104
1.808
1.551
1.121
0.852
0.665
ANG
154.2
132.3
122.1
75.2
54.7
36.1
4.0
-22.3
-45.6
MAG
0.037
0.066
0.077
0.097
0.090
0.077
0.053
0.071
0.116
ANG
67.9
51.3
43.1
9.5
-2.7
-10.4
-0.2
25.0
21.5
MAG
0.977
0.930
0.904
0.798
0.765
0.755
0.769
0.789
0.821
ANG
-16.3
-31.3
-37.9
-66.0
-77.3
-87.4
-107.1
-133.7
-169.3
(dB)
18.978
16.239
15.354
13.363
13.030
10.100
7.495
6.222
6.238
0.181
0.255
0.315
0.662
0.919
1.238
2.016
1.607
1.048
NE696M01
V
CE
= 2 V, I
C
= 1 mA
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA
0.40
0.80
1.00
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
6.00
0.753
0.583
0.513
0.338
0.333
0.366
0.468
0.543
0.591
-46.2
-83.4
-98.3
-165.4
161.7
134.1
97.3
77.4
64.3
11.297
8.809
7.704
4.496
3.634
3.005
2.169
1.697
1.381
139.6
111.9
101.4
61.9
46.0
31.6
5.4
-19.0
-43.2
0.030
0.047
0.051
0.059
0.062
0.066
0.081
0.107
0.141
59.6
43.1
37.7
27.5
27.6
27.8
29.4
25.2
14.8
0.871
0.715
0.660
0.541
0.530
0.538
0.575
0.610
0.666
-27.0
-43.8
-49.4
-70.7
-80.0
-89.2
-107.7
-132.7
-167.0
0.296
0.509
0.628
1.163
1.357
1.460
1.386
1.152
0.921
25.758
22.728
21.791
16.374
14.112
12.563
10.575
9.638
9.910
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
Note:
1. Gain Calculation:
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
Coordinates in Ohms
Frequency in GH
z
V
CE
=
2 V, I
C
= 10
mA
相關PDF資料
PDF描述
NE698M01 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
NE698M01-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
NE71300 LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300L LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300M LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NE696M01-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE696M01-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 DISC BY CEL 1/02 M01 NPN HIGH FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE696M01-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE6970-SM 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SERVICE MANUAL
NE698M01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*