- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄363249 > NE696M01 (Electronic Theatre Controls, Inc.) NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NE696M01 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | NE696M01 |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
V
EBO
Emitter to Base Voltage
I
C
Collector Current
P
T
Total Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
UNITS
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
RATINGS
9
6
2
30
150
150
-65 to +150
NE696M01
PART NUMBER
QUANTITY
PACKAGING
NE696M01-T1
3000
Tape & Reel
V
CE =
1
V
,
I
C =
3 mA
1.0
1.4
1.7
2.0
3.0
V
CE =
2 V
,
I
C =
1 mA
0.5
0.8
1.0
1.5
2.0
3.0
V
CE =
2
V
,
I
C =
5 mA
1.4
1.46
1.55
1.8
2.3
18.5
16.4
15.2
14.5
11.0
0.53
0.47
0.43
0.39
0.3
79
95
111
132
177
0.27
0.13
0.19
0.16
0.10
FREQ.
(GHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
NE696M01
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
.94
1.1
1.25
1.55
1.94
2.65
16.8
14.8
13.8
11.4
9.6
7.0
0.72
0.66
0.63
0.56
0.5
0.46
41
65
79
104
138
-173
0.52
0.44
0.39
0.31
0.17
0.07
0.5
0.8
1.0
1.5
2.0
3.0
1.2
1.32
1.47
1.63
1.82
2.17
23.0
20.3
18.8
15.8
13.0
9.8
0.49
0.44
0.42
0.39
0.33
0.25
37
62
76
98
126
173
0.38
0.27
0.30
0.23
0.18
0.10
V
CE =
3
V
,
I
C =
5 mA
0.5
0.8
1.0
1.5
2.0
3.0
1.25
1.35
1.41
1.58
1.81
2.29
24.2
20.7
18.8
15.2
13.7
12.0
0.5
0.45
0.44
0.41
0.34
0.29
37
62
78
97
126
164
0.39
0.26
0.29
0.24
0.20
0.09
ORDERING INFORMATION
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
C)
0
10
20
30
40
50
1.0
V
CE
= 2 V
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
T
T
Ambient Temperature, T
A
(
C)
C
C
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
25
20
15
10
5
0
200
μ
A
180
μ
A
160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
I
B
= 20
μ
A
500
200
100
50
20
10
1
2
5
10
20
50
100
V
CE
= 2 V
V
CE
= 1 V
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
D
C
C
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
200
100
0
0
50
100
150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE698M01 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION |
| NE698M01-T1 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION |
| NE71300 | LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
| NE71300L | LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
| NE71300M | LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE696M01-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE696M01-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 DISC BY CEL 1/02 M01 NPN HIGH FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE696M01-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE6970-SM | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SERVICE MANUAL |
| NE698M01 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。