參數(shù)資料
型號： NE662M04-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 93K
代理商： NE662M04-T2
NE662M04
S
22
0.1 GHz
j50
j25
j10
10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
S
11
18 GHz
50
S
11
0.1 GHz
S
22
18 GHz
25
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
21
0.1 GHz
S
12
0.1 GHz
S
21
18 GHz
S
12
18 GHz
FREQUENCY
GHz
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.70
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
17.00
18.00
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
31.03
28.23
26.63
25.48
24.61
23.25
21.77
20.02
18.68
17.56
15.25
13.46
12.25
10.54
9.27
8.24
7.35
6.76
6.64
7.44
6.81
6.26
5.15
3.91
2.94
1.32
-0.29
MAG
0.800
0.823
0.784
0.756
0.723
0.673
0.606
0.525
0.481
0.452
0.443
0.447
0.462
0.503
0.533
0.561
0.597
0.648
0.701
0.742
0.770
0.800
0.832
0.864
0.886
0.893
0.893
ANG
-6.49
-20.59
-33.50
-44.64
-54.00
-71.29
-94.50
-125.16
-149.81
-171.81
168.25
149.84
133.60
106.93
85.28
64.59
44.11
25.70
10.10
-3.57
-17.38
-32.18
-47.17
-60.22
-71.89
-83.62
-95.92
MAG
12.912
12.309
11.948
11.513
11.004
9.884
8.378
6.529
5.267
4.390
3.750
3.263
2.881
2.323
1.941
1.663
1.458
1.289
1.150
1.033
0.937
0.852
0.761
0.669
0.586
0.505
0.432
ANG
170.08
162.54
153.92
146.61
139.33
126.94
111.49
91.42
75.35
61.34
48.61
36.68
25.36
3.99
-15.75
-34.58
-53.07
-71.41
-89.34
-107.27
-125.45
-144.57
-164.70
174.87
154.00
131.56
109.00
MAG
0.010
0.019
0.026
0.033
0.038
0.047
0.056
0.065
0.071
0.077
0.083
0.088
0.095
0.108
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0.199
0.191
0.179
0.161
0.142
ANG
80.54
73.16
66.89
61.60
56.80
49.31
40.70
32.29
27.18
23.73
20.64
17.74
14.65
7.35
-0.60
-10.18
-20.97
-32.58
-44.85
-57.61
-71.16
-86.33
-101.97
-117.93
-134.03
-150.31
-165.37
MAG
0.975
0.908
0.878
0.844
0.798
0.717
0.626
0.529
0.473
0.437
0.414
0.399
0.390
0.391
0.407
0.414
0.396
0.365
0.338
0.322
0.291
0.220
0.130
0.095
0.128
0.183
0.273
ANG
-12.55
-19.04
-24.33
-29.71
-35.10
-43.61
-53.73
-65.53
-74.56
-82.64
-90.48
-98.44
-106.85
-124.19
-138.63
-150.24
-161.21
-175.83
165.91
147.34
132.02
115.42
84.64
15.41
-38.31
-80.23
-113.09
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
Note:
1. Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
NE662M04
V
DS
= 2 V, I
DS
= 5 mA
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
0.14
0.17
0.19
0.21
0.26
0.34
0.45
0.63
0.79
0.94
1.05
1.13
1.18
1.21
1.21
1.19
1.17
1.13
1.06
0.99
0.96
0.96
1.01
1.06
1.13
1.37
1.78
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PDF描述
NE662M16 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16-T3 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE664M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE664M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE677M04 NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
NE662M04-T2-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662M16 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662M16-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662M16-T3 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 6-Pin Case M-16 T/R
NE662M16-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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