參數(shù)資料
型號： NE662M04-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 93K
代理商： NE662M04-T2
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
PACKAGE OUTLINE M04
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
4
1
3
2
2.05
±
0.1
1.25
±
0.1
+0.1
-0.06
+0.1
-0.08
0.40
+0.1
-0.05
0.30
(Leads 1, 3, 4)
2.0
±
0.1
1.25
1.30
0.60
0.65
0.59
±
0.05
0.11
0.65
0.65
T
PART NUMBER QUANTITY PACKAGING
NE662M04-T2
3000 Tape & Reel
ORDERING INFORMATION
NE662M04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE662M16 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE662M16-T3 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE664M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE664M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE677M04 NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE662M04-T2-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662M16 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662M16-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662M16-T3 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 6-Pin Case M-16 T/R
NE662M16-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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