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參數(shù)資料
| 型號： | NE662M04-T2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | NE662M04-T2 |
NE662M04
Frequency, f (GHz)
Frequency, f (GHz)
N
N
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. FREQUENCY
2 3 4 5 6 7 8 9 10 12
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
18
16
14
12
10
8
6
4
2
G
A
NF
V
CE
= 2V, l
C
= 5 mA
2
3
4
5
6
7
8 9
1012
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
18
16
14
12
10
8
6
4
G
A
NF
V
C
= 2V, l
C
= 10 mA
A
A
A
A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
N
N
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, l
C
(mA)
N
N
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
1
10
100
6.00
5.00
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
G
A
NF
f = 2.5 GHz, V
CE
= 2 V
1
10
100
6.00
5.00
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
G
A
NF
f = 1.5 GHz, V
CE
= 2 V
1
10
100
6.00
5.00
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
G
A
NF
f = 2.0 GHz, V
CE
= 2 V
1
10
100
6.00
5.00
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
G
A
NF
f = 1.0 GHz, V
CE
= 2 V
NOISE FIGURE AND ASSOCIATED
GAIN vs. FREQUENCY
A
A
A
A
A
A
A
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE662M16 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE662M16-T3 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE664M04 | MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE664M04-T2 | MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE677M04 | NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE662M04-T2-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE662M16 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE662M16-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE662M16-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 6-Pin Case M-16 T/R |
| NE662M16-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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