參數(shù)資料
型號： NE6500379
廠商： NEC Corp.
英文描述： 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
中文描述： 3W升，S波段功率GaAs MESFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 88K
代理商： NE6500379
2
NE6500379A
RECOMMENDED OPERATING LIMITS
Characteristics
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
6.0
6.0
V
Gain Compression
Gcomp
3.0
dB
Channel Temperature
T
ch
+125
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C, Unless otherwise specified, using NEC standard test fixture.)
Characteristics
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Saturated Drain Current
I
DSS
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
4.5
A
Pinch-off Voltage
V
p
V
DS
= 2.5 V, I
D
= 21 mA
–3.6
–1.6
V
Gate to Drain Break Down
Voltage
BV
gd
I
gd
= 21 mA
17
V
Thermal Resistance
R
th
Channel to Case
5
6
°C/W
Output Power at 1 dB Gain
Compression Point
P
o(1dB)
35.0
dBm
Drain Current
I
D
1.0
A
Power Added Efficiency
η
add
50
%
Linear Gain
Note 1
G
L
f = 1.9 GHz, V
DS
= 6.0 V
Rg = 30
I
Dset
= 500 mA (RF OFF)
Note 2
9.0
10.0
dB
Notes 1.
Pin = 0 dBm
2.
DC performance is 100% testing. RF performance is testing several samples per wafer.
Wafer rejection criteria for standard devices is 1 reject for several samples.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NE6500379A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6500379A 2.6G RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6500379A-T1 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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