| 型號(hào): | NE646N |
| 廠(chǎng)商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述: | Dolby Noise Reduction Circuit |
| 中文描述: | 杜比降噪電路 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商: | NE646N |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE64700 | NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR |
| NE6500379 | 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
| NE6500379A-T1 | 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
| NE6500379A | 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
| NE6500496 | N-Channel GaAs MES FET(N溝道砷化鎵MES場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE64700 | 制造商:ASI 制造商全稱(chēng):ASI 功能描述:NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR |
| NE64800 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 9V V(BR)CEO | 40MA I(C) | CHIP |
| NE6500179A | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Discrete |
| NE6500379 | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
| NE6500379A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |