參數(shù)資料
型號(hào)： NE64700
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 0.250 X 0.250 MM, 0.125 MM HEIGHT, DIE
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 18K
代理商： NE64700
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25 °C
SYMBOL
I
CBO
V
CB
= 8.0 V
I
EBO
V
EB
= 1.0 V
h
FE
V
CE
= 8.0 V I
C
= 10 mA
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
μA
μA
---
0.2
1.0
50
100
250
C
CB
V
CB
= 8.0 V
f = 1.0 MHz
0.11
pF
NF
P
G
P
1dB
f
t
V
CE
= 8.0 V I
C
= 2.0 mA f = 1.0 MHz
1.6
15
12
dB
dB
dBm
GHz
V
CE
= 8.0 V I
C
= 10 mA f = 1.0 GHz
I
C
= 10 mA
V
CE
= 8.0 V
I
C
= 20 mA f = 1.0 GHz
I
C
= 10 mA f = 2.0 GHz
I
C
= 20 mA f = 2.0 GHz
12
7.5
18.1
12.8
12.6
S21
2
I
C
= 10 mA f = 1.0 GHz
dB
NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR
NE64700
DESCRIPTION:
The
ASI NE64700
is a bipolar
transistor Designed for low noise
applications at VHF, UFH and
microwave frequencies up to 12 GHz.
FEATURES:
P
G
= 18.1 dB Typical @ 1.0 GHz
NF
= 1.6 dB Typical @ 1.0 GHz
MAXIMUM RATINGS
I
C
20 mA
V
CEO
7.0 V
V
CBO
9.0 V
V
EBO
1.5 V
T
J
-65 °C to +200 °C
T
STG
-65 °C to +150 °C
PACKAGE STYLE: CHIP
E
Chip Dimension: (250 x 250) x 125 μm
Bond Pad: 50 x 50 μm
Die Attach: Gold Eutectic
E
0
G
C
5 14 2
B
0.0007 Inch Gold Wire BASE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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