參數(shù)資料
型號(hào): NE646N
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Dolby Noise Reduction Circuit
中文描述: 杜比降噪電路
文件頁數(shù): 1/5頁
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代理商: NE646N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE64700 NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR
NE6500379 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6500379A-T1 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6500379A 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6500496 N-Channel GaAs MES FET(N溝道砷化鎵MES場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE64700 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR
NE64800 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 9V V(BR)CEO | 40MA I(C) | CHIP
NE6500179A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
NE6500379 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6500379A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: