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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE434S01-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 中文描述： | C波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | NE434S01-T1 |
8
NE434S01
TYPICAL MOUNT PAD LAYOUT
2.4 mm TYP.
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE434S01 | Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲放大器N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| NE461M02 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
| NE461M02-T1 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
| NE5045 | Seven-Channel RC Decoder |
| NE521 | High-Speed Dual-Differential Comparator/Sense Amp(高速雙差分比較器/感應(yīng)放大器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE434S01-T1B | 功能描述:MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NE45 | 制造商:D&R Associates 功能描述: 制造商:CM 功能描述: |
| NE-45 | 制造商:VISUAL COMMUNICATIONS COMPANY LLC 功能描述:NE-45 /Refer New Part # B7A |
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| NE450184C-D-T1A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:GaAs FETs |
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