參數(shù)資料
型號(hào)： NE434S01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： NE434S01-T1
3
NE434S01
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
250
T
A
- Ambient Temperature - C
P
t
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
100
80
60
40
20
–1.0
0
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
–2.0
0
V
DS
= 2 V
0
1
2
3
4
5
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
100
80
60
40
20
I
D
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
1
f - Frequency - GHz
24
20
16
12
8
4
M
M
|
2
|
2
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
V
DS
= 2 V
I
D
= 15 mA
2
4
6
8 10
14
20
30
MSG.
MAG.
|S
21S
|
2
Gain Calculations
~
S
~
1 +
~'~
2
e
~
S
11
~
2
e
~
S
22
~
2
MSG. =
~
S
12
~
K =
2
~
S
12
~~
S
21
~
MAG. = S
r
K
~
S
12
~
2
e
1)
'
= S
11
S
22
e
S
21
S
12
—
21
~
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE434S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲放大器N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
NE461M02 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE461M02-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE5045 Seven-Channel RC Decoder
NE521 High-Speed Dual-Differential Comparator/Sense Amp(高速雙差分比較器/感應(yīng)放大器)
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參數(shù)描述
NE434S01-T1B 功能描述:MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE45 制造商:D&R Associates 功能描述: 制造商:CM 功能描述:
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NE450184C-D-T1A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:GaAs FETs
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