參數(shù)資料
型號： NE434S01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： NE434S01-T1
7
NE434S01
Noise Parameters
<Noise Parameters>
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
*
opt.
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
0.32
16.5
0.77
15
0.19
4.0
0.35
15.5
0.58
43
0.18
6.0
0.40
14.2
0.43
82
0.13
8.0
0.46
13.1
0.32
127
0.08
10.0
0.56
12.0
0.27
175
0.07
12.0
0.67
10.9
0.27
–139
0.10
14.0
0.80
9.9
0.34
–100
0.17
16.0
0.94
8.9
0.48
–70
0.29
18.0
1.10
8.0
0.69
–56
0.46
R
n
/50
Ga (dB)
NF
min
(dB)
Freq (GHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE434S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲放大器N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
NE461M02 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE461M02-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE5045 Seven-Channel RC Decoder
NE521 High-Speed Dual-Differential Comparator/Sense Amp(高速雙差分比較器/感應(yīng)放大器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE434S01-T1B 功能描述:MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE45 制造商:D&R Associates 功能描述: 制造商:CM 功能描述:
NE-45 制造商:VISUAL COMMUNICATIONS COMPANY LLC 功能描述:NE-45 /Refer New Part # B7A
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