參數(shù)資料
型號： NE434S01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： NE434S01-T1
2
NE434S01
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Gate to Source Leak Current
I
SGO
0.5
10
P
A
V
GS
=
e
3 V
Saturated Drain Current
I
DSS
20
80
150
mA
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
Gate to Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
e
0.2
e
0.9
e
2.5
V
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
P
A
Transconductance
g
m
70
85
mS
V
DS
= 2 V, I
D
= 14 mA
Noise Figure
NF
0.35
0.45
dB
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA,
Associated Gain
G
a
13.0
15.5
dB
f = 4 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE434S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲放大器N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
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NE461M02-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
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參數(shù)描述
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