參數(shù)資料
型號： NE429M01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 50K
代理商： NE429M01-T1
Data Sheet P12254EJ3V0DS00
3
NE429M01
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Ambient Temperature T
A
(C)
T
t
(
60
40
20
0
–2.0
–1.0
0
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
(
Frequency f (GHz)
M
M
F
2
|
2
(
V
DS
= 2 V
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
24
20
16
12
8
4
1
30
2
4
20
6
8 10
14
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
MAG.
|S
21S
|
2
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
100
80
60
40
20
0
5
1
D
D
(
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
2
3
4
MSG.
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PDF描述
NE434S01-T1 C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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