參數(shù)資料
型號(hào)： NE429M01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： NE429M01-T1
Data Sheet P12254EJ3V0DS00
2
NE429M01
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
PIN CONNECTIONS
3
2
1
4
5
6
(Top View)
V
4
5
6
3
2
1
(Bottom View)
RECOMMENDED OPERATING CONDITION (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
1
2
3
V
Drain Current
I
D
5
10
20
mA
Input Power
P
in
0
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
I
GSO
V
GS
=
3 V
0.5
10
μ
A
Saturated Drain Current
I
DSS
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
20
60
90
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
μ
A
0.2
0.7
2.0
V
Transconductance
g
m
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
45
60
mS
Noise Figure
NF
f = 12 GHz
0.9
1.2
dB
f = 4 GHz
0.4
Associated Gain
G
a
f = 12 GHz
9.0
10
dB
f = 4 GHz
15.0
Pin No.
Pin name
1
Gate
2
Source
3
Source
4
Drain
5
Source
6
Source
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE434S01-T1 C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲放大器N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
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NE45 制造商:D&R Associates 功能描述: 制造商:CM 功能描述:
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