參數(shù)資料
型號(hào)： NE425S01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 57K
代理商： NE425S01-T1
NE425S01
4
S-PARAMETERS
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
START 2 GHz, STOP 18 GHz, STEP 500 MHz
S
11
1.0
0.5
2.0
0
∞
–0.5
–2.0
–1.0
Rmax. = 1
1
S
21
+90
0
–90
+135
+45
–135
–45
5
S
12
±180
0
–90
Rmax. = 0.2
+45
–135
–45
±180
Rmax. = 5
1.0
2.0
0
∞
–2.0
Rmax. = 1
Marker
1:
2:
3:
4:
5:
18 GHz
4 GHz
8 GHz
12 GHz
16 GHz
4
3
2
1
+90
+135
2
3
4
5
5
4
3
2
1
S
22
0.5
–1.0
–0.5
5
4
3
2
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE425S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01-T1 C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲放大器N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE425S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE425S01-T1B-A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 4V 90mA 4-Pin Case S01 T/R
NE429M01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01-T1 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE434S01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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