參數(shù)資料
型號(hào)： NE425S01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
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代理商： NE425S01-T1
NE425S01
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Gate to Source Leak Current
I
GSO
0.5
10
μ
A
V
GS
= –3 V
Saturated Drain Current
I
DSS
20
60
90
mA
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
Gate to Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
–0.2
–0.7
–2.0
V
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
μ
A
Transconductance
g
m
45
60
mS
V
DS
= 2V, I
D
= 10 mA
Noise Figure
NF
0.60
0.80
dB
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA, f = 12 GHz
Associated Gain
G
a
10.5
12.0
dB
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
- Ambient Temperature - C
P
t
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
100
80
60
40
20
0
3.0
1.5
I
D
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
60
40
20
0
–2.0
–1.0
0
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
V
DS
= 2 V
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
f - Frequency - GHz
24
20
16
12
8
41
M
M
|
2
|
2
2
4
6
8 10
14
20
30
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
MSG.
MAG.
|S
21S
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE425S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01-T1 C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲放大器N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE425S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE425S01-T1B-A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 4V 90mA 4-Pin Case S01 T/R
NE429M01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01-T1 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE434S01 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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