參數(shù)資料
型號(hào): NE334S01
廠商: NEC Corp.
英文描述: Low Noise Amplifier N-Channeal HJ-FET(低噪聲放大器N溝道 JFET)
中文描述: 低噪聲放大器? - Channeal黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管(低噪聲放大器?溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
文件頁(yè)數(shù): 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商: NE334S01
7
NE334S01
Noise Parameters
<TYPICAL CONSTANT NOISE FIGURE CIRCLE>
1.0
0
–1.0
–0.5
–2.0
2.0
0.5
1.0
Γ
opt
0.6 dB
V
DS
= 2 V
I
D
= 15 mA
f = 4 GHz
0.8 dB
0.4 dB
<Noise Parameters>
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
G
opt
.
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
0.23
17.0
0.77
15
0.19
4.0
0.25
16.0
0.58
43
0.18
6.0
0.28
14.7
0.43
82
0.13
8.0
0.31
13.6
0.32
127
0.08
10.0
0.38
12.5
0.27
175
0.07
12.0
0.48
11.5
0.27
–139
0.10
14.0
0.60
10.5
0.34
–100
0.17
16.0
0.73
9.6
0.48
–70
0.29
18.0
0.88
8.8
0.69
–56
0.46
R
n
/50
Ga (dB)
NF
min
(dB)
Freq (GHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE38018 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE38018-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE38018-T2 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE4210S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
NE4210S01-T1 X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE334S01_00 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
NE334S01-A 功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE334S01-T1 功能描述:射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE334S01-T1-A 功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE334S01-T1B 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET