參數(shù)資料
型號(hào)： NE334S01
廠商： NEC Corp.
英文描述： Low Noise Amplifier N-Channeal HJ-FET(低噪聲放大器N溝道 JFET)
中文描述： 低噪聲放大器? - Channeal黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管（低噪聲放大器?溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
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代理商： NE334S01
4
NE334S01
S-PARAMETERS
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
START 2 Ghz, STOP 18 Ghz, STEP 500 Mhz
S
11
1.0
0.5
2.0
0
∞
–0.5
–2.0
–1.0
5
4
3
2
1
Rmax. = 1
S
12
+90
±180
0
–90
Rmax. = 0.25
+135
+45
–135
–45
1
2
3
4
5
S
21
+90
±180
0
–90
Rmax. = 1.0
+135
+45
–135
–45
1
2
3
4
5
S
22
1.0
0.5
2.0
0
∞
–0.5
–2.0
–1.0
5
Rmax. = 1
4
3
2
1
Marker
1:
2:
3:
4:
5:
18 GHz
4 GHz
8 GHz
12 GHz
16 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE38018 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE38018-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE38018-T2 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE4210S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
NE4210S01-T1 X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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參數(shù)描述
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NE334S01-A 功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NE334S01-T1-A 功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE334S01-T1B 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
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