參數(shù)資料
型號： NE334S01
廠商： NEC Corp.
英文描述： Low Noise Amplifier N-Channeal HJ-FET(低噪聲放大器N溝道 JFET)
中文描述： 低噪聲放大器? - Channeal黃建忠場效應(yīng)管（低噪聲放大器?溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： NE334S01
2
NE334S01
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Gate to Source Leak Current
I
GSO
0.5
10
m
A
V
GS
=
-
3 V
Saturated Drain Current
I
DSS
20
80
150
mA
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
Gate to Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
-
0.2
-
0.9
-
2.5
V
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
m
A
Transconductance
g
m
70
85
mS
V
DS
= 2 V, I
D
= 14 mA
Noise Figure
NF
0.25
0.35
dB
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA,
Associated Gain
G
a
15.0
16.0
dB
f = 4 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NE38018-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE38018-T2 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
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NE4210S01-T1 X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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參數(shù)描述
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NE334S01-A 功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NE334S01-T1-A 功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE334S01-T1B 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
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