參數(shù)資料
型號： NE334S01
廠商： NEC Corp.
英文描述： Low Noise Amplifier N-Channeal HJ-FET(低噪聲放大器N溝道 JFET)
中文描述： 低噪聲放大器? - Channeal黃建忠場效應(yīng)管（低噪聲放大器?溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： NE334S01
3
NE334S01
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
250
T
A
- Ambient Temperature - C
P
t
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
100
80
60
40
20
–1.0
0
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
–2.0
0
V
DS
= 2 V
0
1
2
3
4
5
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
100
80
60
40
20
I
D
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
1
f - Frequency - GHz
24
20
16
12
8
4
M
M
|
2
|
2
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
2
4
6
8 10
14
20
30
V
DS
= 2 V
I
D
= 15 mA
|S
21S
|
2
MSG.
MAG.
Gain Calculations
S
1 +
D
2
-
S
11
2
-
S
22
2
MSG. =
S
12
K =
2
S
12
S
21
MAG. = S
±
K
S
12
2
-
1)
D
= S
11
×
S
22
-
S
21
×
S
12
21
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PDF描述
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