參數(shù)資料
型號(hào): NE325S01
廠商: NEC Corp.
英文描述: C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述: C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù): 3/12頁(yè)
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代理商: NE325S01
NE325S01
3
Gain Calculations
MSG.
|S |
|S |
12
=
21
K
1
|
| – |S | – |S |
2 |S | |S |
12
2
11
22
21
=
+
MAG.
|S | (K
12
K –1)
21
=
±
S
S
– S
S
11
22
21
12
=
f - Frequency - GHz
1.0
0.5
0
1
30
2
N
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
4
20
6
8 10
14
24
20
16
12
8
4
G
a
N
G
a
I
D
- Drain Current - mA
G
a
NF
G
a
NF
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs.
DRAIN CURRENT
14
13
12
11
10
2.0
1.5
1.0
0.5
30
20
10
0
V
DS
= 2 V
f = 12 GHz
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN vs.
FREQUENCY
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE325S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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NE334S01 Low Noise Amplifier N-Channeal HJ-FET(低噪聲放大器N溝道 JFET)
NE38018 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
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參數(shù)描述
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NE325S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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