參數(shù)資料
型號(hào)： NDT454P(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 5.9AI（四）|的SOT - 223
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
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代理商： NDT454P(J23Z)
NDT454P Rev. D2
-5
-4
-3
-2
-1
0
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
-6.0
-4.0
V =-10V
-3.0
-4.5
-3.5
-5.0
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -3.5V
R
D
-6.0V
-10V
-5.0V
-4.0V
-4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -10V
I = -5.9A
R
D
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
25°C
-55°C
V = -10V
J
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
-5
-4
-3
-2
-1
-20
-16
-12
-8
-4
0
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
25
125
V = -10V
J
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT454 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT455N(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SOT-223
NDT455N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（11.5A，30V，0.015Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流11.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.015Ω）)
NDT456P(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SOT-223
NDT456 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDT455N 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDT455N(J23Z) 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SOT-223
NDT456 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT456P 功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDT456P(J23Z) 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SOT-223
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