參數(shù)資料
型號： NDT453N(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 8A條（丁）|的SOT - 223
文件頁數(shù)： 5/10頁
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代理商： NDT453N(J23Z)
NDT453N Rev. D1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.001
0.01
0.1
1
5
10
20
I
S
TJ
25°C
-55°C
V =0V
0
5
10
Q , GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 8A
V = 5V
15V
10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
500
1000
1500
2000
2500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關PDF資料
PDF描述
NDT453N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（8A，30V，0.028Ω）(N溝道增強型場效應管（漏電流8A, 漏源電壓30V，導通電阻0.028Ω）)
NDT454P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.9A，-30V，0.05Ω）(P溝道增強型場效應管（漏電流-5.9A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.05Ω）)
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NDT454 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT455N(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | SOT-223
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參數(shù)描述
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