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參數(shù)資料
| 型號： | NDT451N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.5A，30V，0.05Ω）(N溝道增強型場效應管（漏電流5.5A, 漏源電壓30V，導通電阻0.05Ω）) |
| 中文描述： | 5.5 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | NDT451N |
SOT-223 (FS PKG Code 47)
SOT-223 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Part Weight per unit (gram): 0.1246
September 1999, Rev. C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDT451 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDT451AN(J23Z) | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223 |
| NDT452P | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-3A，-30V，0.18Ω）(P溝道增強型場效應管（漏電流-3A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.18Ω）) |
| NDT452 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDT452AP(J23Z) | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NDT451N_J23Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDT452 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDT452AP | 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDT452AP(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
| NDT452AP | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-223 |
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