參數(shù)資料
型號： NDT451N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.5A，30V，0.05Ω）(N溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流5.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
中文描述： 5.5 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： NDT451N
NDT451N Rev. C2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
I
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 5.5A
V = 10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
50
100
200
500
1000
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT451 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT451AN(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223
NDT452P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-3A，-30V，0.18Ω）(P溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流-3A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.18Ω）)
NDT452 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT452AP(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDT451N_J23Z 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDT452 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT452AP 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDT452AP(J23Z) 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223
NDT452AP 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-223
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