參數(shù)資料
型號(hào)： NDT451AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（7.2A，30V，0.035Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流7.2A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
中文描述： 7.2 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 227K
代理商： NDT451AN
NDT451AN Rev. D
Typical Thermal Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2
1
3
4
5
6
7
8
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in )
I
D
1c
1b
1a
4.5"x5" FR-4 Board
T = 25 C
Still Air
V = 10V
o
Figure 13. Maximum Steady-State Drain Current
versus Copper Mounting Pad Area.
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
1
5
10
30
I
D
100ms
10s
DC
10ms
RDS(ON) LIMIT
1ms
V = 10V
SINGLE PULSE
R = See Note 1c
T = 25°C
100us
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
0
0.2
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in )
0.4
0.6
0.8
2
1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
S
1c
1b
1a
4.5"x5" FR-4 Board
T = 25 C
Still Air
A
o
Figure 12. SOT-223 Maximum Steady-State
Power Dissipation versus Copper
Mounting Pad Area.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R JA
R JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
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PDF描述
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