參數(shù)資料
型號(hào)： NDT451AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（7.2A，30V，0.035Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流7.2A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
中文描述： 7.2 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： NDT451AN
NDT451AN Rev. D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
1
10
25
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
J
25°C
-55°C
V =0V
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 7.2A
V = 5V
10V
20V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
500
1000
1500
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
0
5
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
F
V = 10V
125°C
25°C
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT451N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.5A，30V，0.05Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流5.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
NDT451 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT451AN(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223
NDT452P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-3A，-30V，0.18Ω）(P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-3A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.18Ω）)
NDT452 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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