參數(shù)資料
型號(hào)： NDT451AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（7.2A，30V，0.035Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流7.2A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
中文描述： 7.2 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： NDT451AN
NDT451AN Rev. D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V =10V
6.05.0 4.5
4.0
3.5
3.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V =10V
I = 7.2A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
5
10
15
20
25
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = 3.0V
4.0
10
6.0
4.5
5.0
3.5
0
5
10
15
20
25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 10V
J
25°C
-55°C
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
TJ
25°C
125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT451N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.5A，30V，0.05Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流5.5A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
NDT451 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT451AN(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223
NDT452P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-3A，-30V，0.18Ω）(P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-3A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.18Ω）)
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