參數(shù)資料
型號： NDT014
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
中文描述： 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： NDT014
NDT014 Rev. C1
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = 10V
125°C
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
60
100
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
20
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
DC
RDS(ON)LMT
100ms
1s
10s
10ms
100us
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 42 C/W
T = 25°C
o
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R JA
R JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
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PDF描述
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