參數(shù)資料
型號(hào)： NDT014
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
中文描述： 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： NDT014
NDT014 Rev. C1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
B
D
I = 250μA
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
10
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
0
1
2
Q , GATE CHARGE (nC)
3
4
5
6
0
3
6
9
12
15
V
G
I = 2.7A
V = 10V
20V
40V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
20
30
50
100
200
300
400
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT014(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
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NDT3055 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（4A，60V，0.1Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流4A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.1Ω）)
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NDT014L 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
NDT014L_SB9D008 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N channel MOSFET
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