參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9959
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.0A，50V，0.3Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.0A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
中文描述： 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： NDS9959
NDS9959.SAM
0
1
2
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
12
I
D
6.0
5.0
8.0
7.0
V =10V
9.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
V =10V
I = 1.5A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
2
4
I , DRAIN CURRENT (A)
6
8
10
12
0.8
1.2
1.6
2
2.4
D
V = 6V
R
D
9.0V
10V
7.0V
8.0V
0
2
4
I , DRAIN CURRENT (A)
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
D
R
D
V =10 V
TJ
25°C
-55°C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
TJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDT014L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.8A，60V，0.2Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.8A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
NDT014(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
NDT2955 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.5A，-60V，0.3Ω）(P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-2.5A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
NDT2955(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDS9959 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDS9959_Q 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDSC1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSC3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
NDSE1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
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