參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9957
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2.6 A, 60 V, 0.16 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： NDS9957
NDS9957.SAM
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
60
100
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
20
I
D
DC
1s
10s
10ms
100ms
1ms
RDS(ON) LIMIT
100us
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 100 C/W
T = 25°C
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V =10V
125°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1c
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
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PDF描述
NDS9958 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
NDT014(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
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參數(shù)描述
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NDSC1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
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