參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9957
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2.6 A, 60 V, 0.16 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 340K
代理商： NDS9957
Electrical Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250 μA
60
V
I
DSS
I
GSSF
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
1
μA
Gate - Body Leakage, Forward
100
nA
I
GSSR
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
Gate - Body Leakage, Reverse
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
-100
nA
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
1
1.5
3
V
T
A
= 125°C
0.7
1.1
2.2
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V
GS
= 10 V, I
D
= 2.6 A
0.145
0.16
T
A
= 125°C
0.25
0.3
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 2.1 A
0.19
0.25
T
A
= 125°C
0.32
0.5
I
D(on)
g
FS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
On-State Drain Current
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V, I
D
= 2.6 A
10
A
Forward Transconductance
4
S
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 2)
Input Capacitance
V
= 30 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
200
pF
Output Capacitance
60
pF
Reverse Transfer Capacitance
20
pF
t
D(on)
t
r
t
D(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn - On Delay Time
V
DD
= 30 V, I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V,R
GEN
= 6
6
20
ns
Turn - On Rise Time
11
25
ns
Turn - Off Delay Time
17
30
ns
Turn - Off Fall Time
4
15
ns
Total Gate Charge
V
= 30 V,
I
D
= 2.6 A, V
GS
= 10 V
7.5
12
nC
Gate-Source Charge
2.8
nC
Gate-Drain Charge
0.8
nC
NDS9957.SAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS9958 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9959 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.0A，50V，0.3Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.0A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
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NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
NDT014(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
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參數(shù)描述
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NDS9959 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS9959 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDS9959_Q 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDSC1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal
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