參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9953A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2.9 A, 30 V, 0.13 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 342K
代理商： NDS9953A
NDS9953A.SAM
-5
-4
-3
-2
-1
0
-20
-15
-10
-5
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = -10V
D
-4.0
-6.0
-5.0
-4.5
-7.0
-3.5
-8.0
-3.0
-5.5
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -10V
I = -2.9A
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
-15
-12
-9
-6
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -3.5V
-10
-6.0
-4.0
-8.0
-7.0
-5.0
-4.5
-5.5
-15
-12
-9
-6
-3
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = -10V
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
J
25°C
125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS9955 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9956A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.7A，30V，0.08Ω）(雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流3.7A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.08Ω）)
NDS9956 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9957 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9958 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDS9956 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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