參數(shù)資料
型號： NDS8958
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.3 A, 30 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 354K
代理商： NDS8958
NDS8958 Rev. C
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
Figure 12. P-Channel On-Region Characteristics.
Figure 13. P-Channel On-Resistance Variation
with Gate Voltage and Drain Current.
Figure 14. P-Channel On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 15. P-Channel On-Resistance Variation with
Drain Current and Temperature.
Figure 16. P-Channel Transfer Characteristics.
Figure 17. P-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
-4
-3
-2
-1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
-20
-15
-10
-5
0
I
V = -10V
D
-4.0
-6.0
-5.0
-3.5
-3.0
-4.5
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -10V
I = -4.0A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -3.5V
-10
-5.0
-6.0
- 4.0
-4.5
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-20
-15
-10
-5
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
TJ
25°C
125°C
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
ID
D
R
D
V = -10V
J
25°C
-55°C
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PDF描述
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