參數(shù)資料
型號(hào)： NDS8958
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.3 A, 30 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大?。?/td> 354K
代理商： NDS8958
NDS8958 Rev. C
Figure 7. N-Channel Breakdown Voltage Variation
with Temperature.
Figure 8. N-Channel Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature
.
Figure 9. N-Channel Capacitance Characteristics.
Figure 10. N-Channel Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
(continued)
Figure 11. N-Channel Transconductance Variation
with Drain Current and Temperature.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
1
10
25
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
J
25°C
-55°C
V =0V
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 5.3A
V = 5V
10V
20V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
500
1000
1500
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
0
5
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
F
V = 10V
125°C
25°C
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PDF描述
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