參數(shù)資料
型號： NDS8958
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.3 A, 30 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大小： 354K
代理商： NDS8958
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關PDF資料
PDF描述
NDS8961 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9400 Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9400A Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9407 Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9410S Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NDS8958 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SO-8
NDS8958_Q 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8961 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8961_F011 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8963 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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