參數(shù)資料
型號(hào)： NDS8928
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 354K
代理商： NDS8928
NDS8928 Rev.D
-4
-3
-2
-1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
-20
-16
-12
-8
-4
0
I
V = -4.5V
D
-3.5
-1.5
-3.0
-2.5
-2.0
-2.7
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -4.5V
I = -3.8A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -2.5V
-3.0
-5.0
-3.5
-4.0
-2.7
-4.5
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = -4.5V
R
D
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
Figure 12. P-Channel On-Region Characteristics.
Figure 13. P-Channel On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
Figure 14. P-Channel On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 15. P-Channel On-Resistance Variation with
Drain Current and Temperature.
Figure 16. P-Channel Transfer Characteristics.
Figure 17. P-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-20
-16
-12
-8
-4
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
J
25°C
125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS8934 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8936 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8947 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8958 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8961 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDS8934 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8936 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8936 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN LOGIC SO-8
NDS8947 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8947 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP LOGIC SO-8
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