參數(shù)資料
型號： NDS8928
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 354K
代理商： NDS8928
NDS8928 Rev.D
Figure 7. N-Channel Breakdown Voltage Variation
with Temperature.
Figure 8. N-Channel Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature
.
Figure 9. N-Channel Capacitance Characteristics.
Figure 10. N-Channel Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
(continued)
Figure 11. N-Channel Transconductance Variation
with Drain Current and Temperature.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
10
30
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 5.5A
10V
15V
V = 5V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
100
200
300
500
1000
2000
3000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
25°C
F
V = 5.0V
125°C
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PDF描述
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NDS8936 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NDS8947 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8947 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP LOGIC SO-8
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