參數(shù)資料
型號(hào)： NDS8858H
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Complementry MOSFET Half Bridge
中文描述： 6300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 350K
代理商： NDS8858H
NDS8858H Rev. C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
500
1000
1500
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -4.8A
V = -5V
-10V
-20V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -250μA
B
D
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
100
200
300
500
1000
2000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Typical Electrical Characteristics
Figure 13. N-Channel Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 15. N-Channel Capacitance
Characteristics.
Figure 17. N-Channel Gate Charge Characteristics.
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 4.8A
V = 5V
10V
20V
Figure 14. P-Channel Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 18. P-Channel Gate Charge Characteristics.
Figure 16. P-Channel Capacitance
Characteristics.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS8926 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8928 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8934 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8936 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8947 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDS8858H 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDS8926 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8928 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8934 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS8936 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*