參數(shù)資料
型號： NDS8858H
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Complementry MOSFET Half Bridge
中文描述： 6300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 350K
代理商： NDS8858H
NDS8858H Rev. C
0
5
10
15
20
25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 10V
J
25°C
-55°C
R
D
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -10V
J
25°C
-55°C
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-20
-15
-10
-5
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
TJ
25°C
125°C
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
TJ
25°C
125°C
Figure 7. N-Channel On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
Figure 8. P-Channel On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
Figure 9. N-Channel Transfer
Characteristics.
Figure 10. P-Channel Transfer
Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
Figure 11. N-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
Figure 12. P-Channel Gate Threshold Variation
with Temperature.
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