參數(shù)資料
型號： NDS7002
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大小： 538K
代理商： NDS7002
2N7000.SAM Rev. A1
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R JA
R JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R JA
R JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
1
2
5
10
20
30
60
80
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. 2N7000 Maximum
Safe Operating Area
I
D
V = 10V
SINGLE PULSE
T = 25°C
RDS(ON) Limit
100m s
10s
1ms
10ms
DC
100us
Figure 16. TO-92, 2N7000 Transient Thermal Response Curve
Figure 17. SOT-23, 2N7002 / NDS7002A Transient Thermal Response Curve
1
2
5
10
20
30
60
80
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. NDS7000A Maximum
Safe Operating Area
I
D
V = 10V
SINGLE PULSE
T = 25°C
RDS(ON) Limit
100m s
1ms
10ms
1 1s
100us
1
2
5
10
20
30
60
80
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
3
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. 2N7002 Maximum
Safe Operating Area
I
D
V = 10V
SINGLE PULSE
T = 25°C
RDS(ON) Limit
100m s
1s
1ms
10ms
10s
100us
Typical Electrical Characteristics
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強型場效應(yīng)管)
NDS8410A Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8410S Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8410 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（10A，30V，0.015Ω）(單N溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流10A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.015Ω）)
NDS8425 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
NDS7002A 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS7002A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
NDS7002A_D87Z 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS7002A_NB9GGTXA 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS7002A_Q 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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