參數(shù)資料
型號： NDS7002
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大小： 538K
代理商： NDS7002
TO-92 (FS PKG Code 92, 94, 96)
TO-92 Tape and Reel Data and Package Dimensions
January 2000, Rev. B
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.1977
相關PDF資料
PDF描述
NDS7002A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強型場效應管)
NDS8410A Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8410S Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8410 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（10A，30V，0.015Ω）(單N溝道增強型MOS場效應管（漏電流10A, 漏源電壓30V，導通電阻0.015Ω）)
NDS8425 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NDS7002A 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS7002A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
NDS7002A_D87Z 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS7002A_NB9GGTXA 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS7002A_Q 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*