參數(shù)資料
型號： NDS351AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.2A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.2A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
中文描述： 1400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： NDS351AN
NDS351AN Rev. C
Typical Electrical Characteristics
(continued)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
50
80
100
150
200
300
400
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
I
J
25°C
-55°C
V = 0V
S
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
.
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 1.2A
10V
15V
V = 5V
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關PDF資料
PDF描述
NDS351N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.1A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.1A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
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參數(shù)描述
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